在全球半导体盛会SEMICON CHINA上，思锐智能携全谱系离子注入机（IMP）重磅亮相，协同40年技术积累的原子层沉积（ALD）设备，展现了公司在半导体关键装备领域的技术实力。两大技术矩阵共同发力，不仅为集成电路、功率化合物等应用提供全方位解决方案，更以高产能设计和零部件高国产化率加速行业核心技术自主可控进程，成为驱动半导体产业升级的关键引擎。
思锐智能『全谱系』离子注入机重磅亮相
近年来，思锐智能以高能离子注入机为突破，已完成硅基及化合物半导体领域全系列机型布局。系列离子注入机交付多家头部厂商，填补了国内尖端离子注入技术的空白，为中国半导体装备技术研发与产业化升级注入硬核动能。
思锐智能的高能离子注入机系列包括SRII-4.5M和SRII-8M两款机型，采用主流的RF加速技术，可定制能量上限。拥有先进的金属污染防护技术及精准的注入角度控制，为逻辑、存储、功率器件等应用提供了可靠的解决方案。
在低能注入领域，SRII-60展现了出色的技术优势。离子能量 0.2-60keV（可选85keV），具有优异的低能束流指标，兼顾低能流强、稳定性及重复性。其出色的束流调控能力，能有效地控制束高及传输效率，成为逻辑、存储、CIS、功率器件等应用领域的关键设备。
中能大束流离子注入机SRII-200采用宽带束流设计，简洁的加速模式，其5-200keV的离子能量范围和高达15mA的注入流强，配合全角度测量模块，完美适配功率器件的生产需求。
中束流离子注入机SRII-300 采用斑点束流静电扫描与机械扫描相结合，离子能量范围为2-900keV，采用优异的金属与颗粒污染防护技术，通过高精度注入角度控制实现全晶圆范围量测，适用于逻辑、存储、功率器件、CIS等应用领域。
该系列覆盖全能量范围，搭载大流强离子源，污染防护能力表现卓越。其应用场景聚焦于提升功率器件性能、SOI材料制备、电学性能调整、膜层转移等应用。
面向第三代半导体制造的SiC离子注入机系列，SRII-4.5-SiC/200-SiC/300-SiC，采用先进 AI 离子源与 Hot Implantation 技术，兼容标准及薄片晶圆，赋能第三代半导体电子器件的应用创新。
▷依托ALD技术，沟槽结构SiC栅氧可靠性大幅提升
栅氧可靠性是SiC研究中的重要课题。当SiC器件逐步从平面向沟槽结构过渡，而沟槽结构对栅氧的界面质量和可靠性要求更为严格。思锐智能副总经理陈祥龙在”亚洲化合物半导体大会“中强调：“思锐智能采用高保形、高质量的ALD沉积技术，有效解决了热氧化工艺在3D结构上存在的厚度不均和电性不一致等关键问题。针对SiC在汽车电子等高温应用场景的特殊需求，我们创新开发了基于ALD的栅氧工艺方案，显著提升了SiC栅氧的可靠性。这一技术突破为沟槽型SiC器件的商业化应用提供了坚实的技术保障。”
思锐智能Transform系列具备热法批量和等离子体功能，原位预清洁功能，适用叠层薄膜工艺，可为3"至12"晶圆表面沉积多种材料，并实现完全保形和高均匀性的薄膜沉积。已获得全球主要头部客户的认可，并与欧洲、北美、日本、中国大陆和台湾等地的客户开展合作研发，并积极推动与国内厂商的验证工作，加速国产高端装备在产业链核心环节的自主化进程。