上海新微技术研发中心申请图形化薄膜结构制备方法专利，可改善离子聚集现象

金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“一种图形化薄膜结构的制备方法”的专利，公开号CN120483032A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明提供了一种图形化薄膜结构的制备方法，涉及微器件制备领域。本发明在进行刻蚀前，在介质层上形成光刻胶图形和导电膜层，该导电膜层对拐角不敏感，台阶覆盖性和厚度均一性较好，具有一定的导电性。在不改变原有的刻蚀条件下，通过增加导电膜层，使得在刻蚀过程中产生的二次电子可以及时被传导，不易在图形侧壁累积，不会形成局部电场，可以改善离子聚集的现象，消除由于图形侧壁的高深宽比造成的bow形貌导致的侧壁底部形成的缺口。

天眼查资料显示，上海新微技术研发中心有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本144416万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微技术研发中心有限公司共对外投资了21家企业，参与招投标项目480次，财产线索方面有商标信息52条，专利信息710条，此外企业还拥有行政许可44个。